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DDR 芯片 GT8UB256M16BP-BG 原装现货

类型:存储器 品牌/商标:GT 型号/规格:GT8UB256M16BP-BG 存储容量:256*16 功率:P 针脚数:96 用途:DDR3芯片 封装:BGA96 批号:13+

进口 稳压二极管 IN4003 IN4001 IN4007

产品类型:快恢复二极管 是否进口:是 品牌/商标:MOTOROLA/摩托罗拉 型号/规格:IN4003 IN4001 IN4007 材料:锗(Ge) 封装:DO-41 工作温度范围:-40-85（℃） 功耗:Q 针脚数:2 批号:12+

供应IR场效应管 IRFB3307PBF

品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRFB3307PBF 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:HF/高频(射频)放大 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:10（V） 夹断电压:75（V） 低频跨导:原厂规格（μS） *间电容:5150（pF） 低频噪声系数:原厂规格（dB） 漏*电流:6.3（mA） 耗散功率:250000（mW）

供应优质聚炳烯薄膜电CBB81 1600V183/331/332/392/562等高压电容

品牌/商标:* 型号/规格:CBB81 介质材料:*薄膜 应用范围:高压 外形:方块状 频率特性:*频 调节方式:固定 引线类型:同向引出线 允许偏差:&plu*n;0.005（%） 耐压值:1600（V） 等效串联电阻(*R):参阅pdf（mΩ） 标称容量:参阅pdf（uF） 损耗:参阅pdf 额定电压:参阅pdf（V） *缘电阻:参阅pdf（mΩ） 温度系数:参阅pdf

供应IR场效应管 IRF4104PBF

品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRF4104PBF 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:HF/高频(射频)放大 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:10（V） 夹断电压:40（V） 低频跨导:原厂规格（μS） *间电容:3000（pF） 低频噪声系数:原厂规格（dB） 漏*电流:75000（mA） 耗散功率:140000（mW）

供应系列IR场效应管IRF1404PBF

品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRF1404PBF 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:HF/高频(射频)放大 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 开启电压:10（V） 夹断电压:40（V） 低频跨导:原厂规格（μS） *间电容:5669（pF） 低频噪声系数:原厂规格（dB） 漏*电流:250（mA） 耗散功率:3330（mW）

供应IR场效应管 IRF640NPBF

品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRF640NPBF 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:HF/高频(射频)放大 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:10（V） 夹断电压:200（V） 低频跨导:原厂规格（μS） *间电容:1160（pF） 低频噪声系数:原厂规格（dB） 漏*电流:150（mA） 耗散功率:150（mW）

供应IR场效应管IRFB3206PBF

品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRFB3206PBF 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:HF/高频(射频)放大 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:10（V） 夹断电压:60（V） 低频跨导:原厂规格（μS） *间电容:6540（pF） 低频噪声系数:原厂规格（dB） 漏*电流:75000（mA） 耗散功率:300000（mW）

IR * IRF3205PBF

品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRF3205PBF 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:HF/高频(射频)放大 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:10（V） 夹断电压:55（V） 低频跨导:原厂规格（μS） *间电容:3247（pF） 低频噪声系数:原厂规格（dB） 漏*电流:1100（mA） 耗散功率:60500（mW）