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深圳市时创利鑫电子有限公司
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产品分类
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供应IR场效应管 IRFB3307PBF
品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRFB3307PBF 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:HF/高频(射频)放大 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:10（V） 夹断电压:75（V） 低频跨导:原厂规格（μS） *间电容:5150（pF） 低频噪声系数:原厂规格（dB） 漏*电流:6.3（mA） 耗散功率:250000（mW）
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供应IR场效应管 IRF4104PBF
品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRF4104PBF 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:HF/高频(射频)放大 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:10（V） 夹断电压:40（V） 低频跨导:原厂规格（μS） *间电容:3000（pF） 低频噪声系数:原厂规格（dB） 漏*电流:75000（mA） 耗散功率:140000（mW）
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供应系列IR场效应管IRF1404PBF
品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRF1404PBF 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:HF/高频(射频)放大 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 开启电压:10（V） 夹断电压:40（V） 低频跨导:原厂规格（μS） *间电容:5669（pF） 低频噪声系数:原厂规格（dB） 漏*电流:250（mA） 耗散功率:3330（mW）
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供应IR场效应管 IRF640NPBF
品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRF640NPBF 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:HF/高频(射频)放大 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:10（V） 夹断电压:200（V） 低频跨导:原厂规格（μS） *间电容:1160（pF） 低频噪声系数:原厂规格（dB） 漏*电流:150（mA） 耗散功率:150（mW）
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供应IR场效应管IRFB3206PBF
品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRFB3206PBF 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:HF/高频(射频)放大 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:10（V） 夹断电压:60（V） 低频跨导:原厂规格（μS） *间电容:6540（pF） 低频噪声系数:原厂规格（dB） 漏*电流:75000（mA） 耗散功率:300000（mW）
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IR * IRF3205PBF
品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRF3205PBF 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:HF/高频(射频)放大 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:10（V） 夹断电压:55（V） 低频跨导:原厂规格（μS） *间电容:3247（pF） 低频噪声系数:原厂规格（dB） 漏*电流:1100（mA） 耗散功率:60500（mW）